ZVN0540A

更新时间： 2024-02-22 10:09:29

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN0540A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	0.09 A	最大漏源导通电阻：	50 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	4 pF
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN0540A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVN0540A

FEATURES

400 Volt V_DS

R_DS(on)=50Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

400

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

600

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

700

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

400

I_D=1mA, V_GS=0V

ID=1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

400

V_DS=400 V, V_GS=0

V_DS=320 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

150

100

mA V_DS=25 V, V_GS=10V

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

V_GS=10V,I_D=100mA

Ω

Forward Transconductance(1)(2g_fs

)

V_DS=25V,I_D=100mA

Input Capacitance (2)

C_iss

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈25V, I_D=100mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

3-356

(

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