ZVN0545GTA

更新时间： 2024-01-12 05:42:35

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
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1页	31K
描述
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN0545GTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	0.72	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	376719
Samacsys Pin Count：	4	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	SOT223 (3-Pin)	Samacsys Footprint Name：	SOT-223--
Samacsys Released Date：	2020-02-25 09:11:36	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (ID)：	0.14 A
最大漏源导通电阻：	50 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.6 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN0545GTA 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN0545G

ISSUE 3 - DECEMBER 1995

✪

FEATURES

450 Volts V_DS

R_DS(on)= 50Ω

Ease of paralleling

PARTMARKING DETAIL – ZVN0545

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

450

140

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

600

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre a kd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

450

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th re s h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

V_DS=450 V, V_GS=0

_DS=405 V, V_GS=0V,

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

400

µA

T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

150

100

m A

V_DS=25 V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=100m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd

g _fs

m S

V_DS=25V,I_D=100m A

Tran s co n d u cta n ce (1)(2)

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Cap acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈25V, I_D=100m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

3 - 384

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN0545GTC	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVN0545L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 150MA I(D) \| TO-220
ZVN1409A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN1409ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN1409ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN1409ASTOA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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ZVN1409ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN1409ASTZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN1409DA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 90V V(BR)DSS \| CHIP

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