ZTX649SMTC

更新时间： 2024-02-06 21:06:59

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX649SMTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	50 pF	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX649SMTC 数据手册

ZTX649

TYPICAL CHARACTERISTICS

220

200

0.8

0.6

0.4

0.2

180

160

140

120

V^CE=2V

I_C/I_B=10

100

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

IC - Collector Current (Amps)

CE(sat)

IC - Collector Current (Amps)

v I

2.2

1.4

2.0

1.8

1.6

1.2

1.0

0.8

0.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

I^C/I^B=10

V^CE=2V

0.01

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

IC - Collector Current (Amps)

v I

BE(on)

v I

Single Pulse Test at T^amb=25°C

I^B1=I^B2=I^C/10

140

120

1.0

100

1000

800

D.C.

100ms

10ms

1.0ms

600

0.1

400

200

0.01

0.1

0.01

100

1000

VCE - Collector Voltage (Volts)

IC - Collector Current (Amps)

Safe Operating Area

Switching Speeds

3-218

1 23

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