ZTX649SMTC

更新时间： 2024-02-06 04:22:11

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX649SMTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	50 pF	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX649SMTC 数据手册

ZTX649

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

t_on

V_CB=10V f=1MHz

I_C=500mA, V_CC=10V

_B1=I_B2=50mA

t_off

300

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance:Junction to Ambient₁

Junction to Ambient₂

Junction to Case

R_th(j-amb)1

R_th(j-amb)2

R_th(j-case)

175

116

°C/W

Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.

2.5

2.0

200

D=1 (D.C.)

D=t₁/t_P

Case temperature

1.5

100

D=0.5

1.0

0.5

D=0.2

D=0.1

Single Pulse

0.0001 0.001

-40 -20

0.01

0.1

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-217

123

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