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ZTX649STZ

更新时间： 2024-09-13 20:08:47

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX649STZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX649STZ 数据手册

NPN SILICON PLANAR

ZTX649

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 2 APRIL 94

FEATURES

25 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot=1 Watt

APPLICATIONS

Motor driver

E-Line

DC-DC converters

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

V_(BR)CBO35

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO25

I_C=10mA*

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E=100µA

Collector Cut-Off

Current

0.1

V_CB=30V

V_CB=30V,T

µA

=100°C

Emitter Cut-Off Current I_EBO

0.1

V_EB=4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.12

0.23

0.3

0.5

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=2A, I_B=200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

0.9

1.25

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.8

IC=1A, V_CE=2V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

100

200

150

I_C=50mA, V_CE=2V*

I_C=1A, V_CE=2V*

I_C=2A, V_CE=2V*

I_C=6A, V_CE=2V*

300

Transition Frequency

f_T

150

240

MHz

I_C=100mA, V_CE=5V

f=100MHz

3-216

12 3

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ZTX649STZ 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX649	DIODES	完全替代	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZTX453	DIODES	功能相似	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA18RLRAG	ONSEMI	功能相似	Low Noise Transistor NPN Silicon

与ZTX649STZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX650	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX650	DIODES	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX650DA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX650DB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX650DC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX650DWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.041 X 0.041 INCH
ZTX650K	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
ZTX650M1TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 STY
ZTX650SMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX650STOA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM

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