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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX602SM
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ZTX602SM

更新时间： 2024-09-13 13:16:15
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX602SM 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.25
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PSSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

ZTX602SM 数据手册

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
DARLINGTON TRANSISTORS  
ISSUE 1 – MARCH 94  
ZTX602  
ZTX603  
FEATURES  
*
*
*
*
80 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Gain of 2K at IC=1 Amp  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX602  
80  
ZTX603  
100  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
60  
80  
10  
4
Peak Pulse Current  
Continuous Collector Current  
IC  
1
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/ °C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX602  
ZTX603  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO 80  
100  
80  
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
60  
10  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
10  
Collector Cut-Off  
Current  
0.01  
10  
V
CB=60V  
VCB=80V  
CB=60V,T  
CB=80V,T  
µA  
µA  
µA  
µA  
0.01  
V
=100°C  
=100°C  
10  
V
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
0.1  
10  
0.1  
VEB=8V  
µA  
Colllector-Emitter  
Cut-Off Current  
ICES  
VCES=60V  
VCES=80V  
µA  
µA  
10  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
V
V
IC=400mA,  
IB=0.4mA*  
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
1.8  
1.7  
1.8  
1.7  
V
V
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
IC=1A, VCE=5V*  
3-209  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZTX602SMTA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX602SMTC DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX602STOA DIODES

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 		暂无描述
ZTX602STOB DIODES

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 		暂无描述
ZTX602STZ DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
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