ZTX549ASTOA

更新时间： 2024-10-14 13:16:15

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美台 - DIODES		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	59K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX549ASTOA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX549ASTOA 数据手册

PNP SILICON PLANAR

ZTX549

ZTX549A

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

30 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-35

-30

-5

Peak Pulse Current

-2

Continuous Collector Current

I_C

-1

Power Dissipation: at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

Collector-Base Breakdown V_(BR)CBO

Voltage

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

-35

-30

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

-0.1

-10

_CB=-30V

µA

V_CB=-30V, T_amb=100°C

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.25

-0.50

-0.75

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-2A, I_B=-200mA*

ZTX549A

-0.30

-1.25

I_C=-100mA, I_B=-1mA*

I_C=-1A, I_B=-100mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.9

Base-Emitter

Saturation Voltage

-0.85

-1

IC=-1A, V_CE=-2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

200

130

I_C=-50mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

ZTX549

100

150

160

200

300

500

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

ZTX549A

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3-191

12 3

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