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ZTX455STOA

更新时间： 2024-02-16 00:42:12

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捷特科 - ZETEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	71K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX455STOA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.13	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

ZTX455STOA 数据手册

NPN SILICON PLANAR

ZTX454

ZTX455

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 MARCH 1994

FEATURES

140 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX454

140

ZTX455

160

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

120

140

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX454

ZTX455

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO140

V_CEO(sus)120

160

140

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector Cut-Off

Current

0.1

0.7

300

V_CB=140V

V_CB=120V

µA

0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

h_FE

0.7

1.0

I_C=150mA, I_B=15mA

I_C=200mA, I_B=20mA

Static Forward

Current Transfer

Ratio

100

300

100

I_C=150mA, V_CE=10V*

I_C=200mA, V_CE=1V*

I_C=1A, V_CE=10V*

100

Transition

Frequency

f_T

100

MHz

I_C=50mA, V_CE=10V

f=100MHz

Output Capacitance C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Typical

3-179

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