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ZTX455STZ PDF预览

ZTX455STZ

更新时间： 2024-11-16 21:09:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX455STZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.09最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSIP-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

ZTX455STZ 数据手册

 浏览型号ZTX455STZ的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON PLANAR  
ZTX454  
ZTX455  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 2 – MARCH 1994  
FEATURES  
*
*
*
140 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX454  
140  
ZTX455  
160  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
120  
140  
5
2
1
1
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX454  
ZTX455  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO 140  
VCEO(sus) 120  
160  
140  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
Collector Cut-Off  
Current  
0.1  
0.1  
0.7  
300  
VCB=140V  
VCB=120V  
µA  
µA  
0.1  
0.1  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
VEB=4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
hFE  
0.7  
1.0  
V
IC=150mA, IB=15mA  
IC=200mA, IB=20mA  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
100  
30  
300  
100  
IC=150mA, VCE=10V*  
IC=200mA, VCE=1V*  
IC=1A, VCE=10V*  
10†  
10†  
100  
Transition  
Frequency  
fT  
100  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance Cobo  
15  
15  
VCB=10V, f=1MHz  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
† Typical  
3-179  
12

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ZTX455STZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		500mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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