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ZTX458

更新时间： 2024-10-29 22:34:03
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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ZTX458 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.52最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

ZTX458 数据手册

 浏览型号ZTX458的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MARCH 1994  
ZTX458  
FEATURES  
*
*
*
400 Volt VCEO  
0.5 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
400  
Collector-Emitter Voltage  
400  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
300  
1
mA  
W
Ptot  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 400  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=320V  
VCE=320V  
VEB=4V  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VCEO(sus) 400  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
V
Collector Cut-Off  
Current  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
Collector Cut-Off  
Current  
ICES  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.2  
0.5  
V
V
IC=20mA, IB=2mA  
IC=50mA, IB=6mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
0.9  
V
IC=50mA, IB=5mA  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
0.9  
V
IC=50mA, VCE=10V  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
100  
100  
15  
IC=1mA, VCE=10V  
IC=50mA, VCE=10V  
IC=100mA, VCE=10V*  
300  
Transition Frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=20V  
f=20MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
5
VCB=20V, f=1MHz  
3-182  
12

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