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ZPY27PCT

更新时间: 2024-09-15 19:44:07
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德欧泰克 - DIOTEC /
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
Zener Diode,

ZPY27PCT 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8Base Number Matches:1

ZPY27PCT 数据手册

 浏览型号ZPY27PCT的Datasheet PDF文件第2页 
ZPY10 2% ... ZPY200 2% (1.3 W)  
ZPY10 2% ... ZPY200 2% (1.3 W)  
Silicon Power Z-Diodes (non-planar technology)  
Silizium-Leistungs-Z-Dioden (flächendiffundierte Dioden)  
Version 2006-04-19  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
1.3 W  
Nominal Z-voltage  
10...200 V  
Ø 2.6-0.1  
Nominale Z-Spannung  
Plastic case  
DO-41  
Kunststoffgehäuse  
(DO-204AL)  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 0.8±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 standard (~ ±5%).  
The devices ZPY10 2% ... ZPY200 2% are specially selected.  
Other voltage tolerances and Zener voltages on request.  
Die Standard-Toleranz der Z-Spannung ist gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%).  
Die Reihe ZPY10 2% ... ZPY200 2% ist eine Sonderselektion.  
Andere Toleranzen oder Zener-Spannungen auf Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation  
Verlustleistung  
TA = 50°C  
TA = 25°C  
Ptot  
1.3 W 1)  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
40 W  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
RthA  
RthT  
<45 K/W 1)  
Thermal resistance junction to terminal  
<15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
2
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 

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