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ZMY1

更新时间： 2024-09-14 22:06:55

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德欧泰克 - DIOTEC		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)

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ZMY1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-213AB	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	4.62	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	1 Ω
JEDEC-95代码：	DO-213AB	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	0.765 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	100 mA
Base Number Matches：	1

ZMY1 数据手册

ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W)

Surface mount Silicon-Zener Diodes

(non-planar technology)

Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden

für die Oberflächenmontage

Version 2004-05-13

Maximum power dissipation

1.3 W

Maximale Verlustleistung

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

1…200 V

Plastic case MELF

DO-213AB

Kunststoffgehäuse MELF

Weight approx. – Gewicht ca.

0.12 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

see page 18

siehe Seite 18

Dimensions / Maße in mm

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen

Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Advantages of non-planar Zener-Diodes:

Improved clamping capability

Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden:

Hohe Impulsfestigkeit

Increased max. zener current I_Zmax

Hoher max. Arbeitsstrom I_Zmax

Chips produced with Plasma-EPOS technology

Molded plastic over passivated junction

Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie

Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 50°C

T_A= 25°C

P_tot

1.3 W ¹)

40 W

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

P_ZSM

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

– 50...+150°C

– 50...+175°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R_thA

R_thT

< 45 K/W ¹)

Thermal resistance junction to terminal

< 10 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche

)

Mounted on P.C. board with 50 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 50 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

)

The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.

The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.

Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index

“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.

210

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZMY1/E4	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.406A, Silicon, GLASS, MELF-2
ZMY1_07	SEMIKRON	获取价格	Zener silicon diodes
ZMY1_13	DIOTEC	获取价格	Surface Mount Silicon-Zener Diodes
ZMY1_15	GOOD-ARK	获取价格	Zener Diodes
ZMY10	SEMTECH	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
ZMY10	DIOTEC	获取价格	Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
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