ZDT6705TA

更新时间： 2024-11-25 13:16:11

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	36K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN

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ZDT6705TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SM-8, 8 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	2 BANKS, DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	功耗环境最大值：	2.75 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

ZDT6705TA 数据手册

SM-8 COMPLEMENTARY MEDIUM POWER

ZDT6705

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 1 - NOVEMBER 1995

C₁

C₂

B₁

E₁

B₂

E₂

NPN

PNP

SM-8

PARTMARKING DETAIL T6705

(8 LEAD SOT223)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

NPN

140

120

PNP

-140

-120

-10

-4

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

-1

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

UNIT

Total Power Dissipation at T_amb= 25°C*

Any single die on

Both die on equally

2.25

2.75

Derate above 25°C*

Any single die on

Both die on equally

mW/ °C

Thermal Resistance - Junction to Ambient*

Any single die on

Both die on equally

55.6

45.5

°C/ W

* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner

on a PCB with copper equal to 2 inches square.

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