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ZC822B

更新时间： 2024-11-13 21:10:47

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2页	54K
描述
Variable Capacitance Diode, 22pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-2

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ZC822B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	O-PBCY-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.14
最小击穿电压：	25 V	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	5%	最小二极管电容比：	5
标称二极管电容：	22 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	最大功率耗散：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	最小质量因数：	200
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

ZC822B 数据手册

SILICON ION-IMPLANTED

ZC820

SERIES

HYPERABRUPT TUNER DIODES

ISSUE 2 MARCH 94

DIODE PIN CONNECTION

CATHODE

ANODE

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

MAX

UNIT

Reverse Voltage

V_R

I_F

°C

Forward Current

200

Power Dissipation at T_amb=25°C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

300

125

T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

=25°C)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN

TYP

MAX

0.02

0.04

UNIT CONDITIONS

µA

Reverse Voltage Leakage

I_R

Temperature Coefficient

of Capacitance

0.03

%/°C V_R=3V

TUNING CHARACTERISTICS (at T

amb

=25°C)

PART

Nominal Capacitance

in pF

@ V_R=2V, f=1MHz

Minimum

@ V_R=3V

f=50MHz

Capacitance Ratio

C₂/C₂₀,

at f=1MHz

MIN

NOM

MAX

MIN

MAX

6.5

ZC820

300

200

100

ZC821

ZC822

ZC823

ZC824

ZC825

ZC826

17.6

26.4

37.6

54.4

26.4

39.6

56.4

81.6

120

100

*Available with 2V nominal capacitance ±10 suffix A, ± 5% suffix B

3-107

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