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ZC823N

更新时间: 2024-11-14 08:49:23
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美台 - DIODES 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 39K
描述
Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), Silicon, Hyperabrupt, TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-2

ZC823N 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:R-PSIP-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.14
配置:SINGLE最小二极管电容比:5
标称二极管电容:33 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PSIP-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.3 W认证状态:Not Qualified
最小质量因数:200表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
变容二极管分类:HYPERABRUPTBase Number Matches:1

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