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YTAF630

更新时间: 2024-09-14 19:54:55
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东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 43K
描述
TRANSISTOR 10 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

YTAF630 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-67
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.28雪崩能效等级(Eas):98 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

YTAF630 数据手册

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TOSHIBA  
TOSHIBA  
POWER MOSFETs  
1Q, 1999  
Alphanumerically  

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