YG875C12R

更新时间： 2024-09-17 07:46:03

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富士电机 - FUJI		整流二极管局域网
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描述
Ultra Low IR Schottky Barrier Diode

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YG875C12R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	145 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

YG875C12R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

YG875C12R (120V, 20A)

Ultra Low IR Schottky Barrier Diode

Connection diagram

Features

Outline Drawings [mm]

• Ultra Low IR

TO-220F

• Low V

• Tj MAX = 175˚C

• High reliability at higher temperatures

YG875C12

Applications

• High frequency operation

• DC-DC converters

• AC adapter

Note:1 Country of origin mark.

"P" is Made in PHILIPPINES.

Maximum Ratings and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C Unless otherwise speciﬁed)

Item

Repetitive peak reverse voltage

Symbols

Conditions

Ratings

120

Units

VRRM

Isolating voltage

iso

Terminals-to-case, AC.1min

1500

50Hz Square wave duty =1/2

Tc =131˚C

Average output current

20 *

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

145

175

˚C

stg

-40 to +175

*Out put current of center tap full wave connection.

**Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C Unless otherwise speciﬁed)

Item

Symbols

Conditions

= 10 A

Maximum

0.88

Units

Forward voltage***

Reverse current***

Thermal resistance

***Rating per element

=VRRM

µA

Rth(j-c)

Junction to case

2.5

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Recommended torque

Ratings

0.3 to 0.5

2.0

Units

N•m

Mounting torque

Approximate mass

12 3 4 5

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