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XPS628303ADRLR

更新时间： 2023-09-03 20:32:56
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 转换器
页数 文件大小 规格书
37页 3350K
描述
采用小型 QFN 和 SOT583 封装、精度为 1% 的 2.25V 至 5.5V、3A 降压转换器 | DRL | 8 | -40 to 125

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XPS628303ADRLR 数据手册

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TPS628303  
ZHCSNO6 –FEBRUARY 2023  
www.ti.com.cn  
7.5 Electrical Characteristics  
TJ = –40°C to +125°C, VIN = 2.25 V to 5.5 V. Typical values are at TJ = 25°C and VIN = 5 V (unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
SUPPLY  
EN = VIN, IOUT = 0 mA, VOUT = 1.8 V,  
MODE = GND, device not switching  
IQ  
Operating quiescent current  
7
17  
µA  
ISD  
VIN shutdown supply current  
EN = low, TJ = -40 oC to 85 o  
C
100  
2.15  
120  
700  
nA  
V
VUVLO(+)  
VUVLO(hys)  
THERMAL SHUTDOWN  
Rising UVLO threshold voltage (VIN  
)
2.05  
90  
2.25  
UVLO hysteresis (VIN  
)
mV  
TJ(SD)  
Thermal shutdown threshold  
Thermal shutdown hysteresis  
TJ rising  
150  
20  
°C  
°C  
TJ(HYS)  
LOGIC PINs  
VEN(+)  
Rising EN voltage threshold  
Falling EN voltage threshold  
Rising MODE voltage threshold  
Falling MODE voltage threshold  
EN Input leakage current  
0.715  
0.715  
V
V
VEN(-)  
0.4  
VMODE(+)  
VMODE(-)  
IEN(LKG)  
IMODE(LKG)  
STARTUP  
tSS  
V
0.4  
100  
100  
V
VEN = HIGH  
10  
10  
nA  
nA  
MODE Input leakage current  
VMODE = HIGH  
Internal fixed soft-start time  
Enable delay time  
From VOUT= 0 to VOUT= 95%  
180  
300  
120  
440  
220  
µs  
µs  
td(EN)  
From EN HIGH to device starts switching  
REFERENCE VOLTAGE  
VFB  
Feedback voltage accuracy  
PWM mode  
495  
–1  
–1  
500  
505  
+1  
mV  
%
VFB  
Feedback voltage accuracy  
Feedback voltage accuracy  
PWM mode  
VFB  
+2  
%
PFM mode, COUT,eff ≥15 µF, L = 0.47µH  
IFB(LKG)  
IVOS(LKG)  
POWER GOOD  
FB input leakage current, adjustable version VFB = 0.5 V  
10  
70  
nA  
nA  
VOS input leakage current  
VEN = low  
100  
500  
Rising power good threshold  
voltage (output undervoltage)  
VPG,UV(+)  
VPG,UV(-)  
VPG,OV(+)  
VPG,OV(-)  
td(PG)  
Power Good low, VFB rising  
Power Good high, VFB falling  
Power Good high, VFB rising  
Power Good low, VFB falling  
94  
90  
96  
92  
98  
94  
%
%
%
%
µs  
Falling power good threshold  
voltage (output undervoltage)  
Rising power good threshold  
voltage (output overvoltage)  
108  
103  
30  
110  
105  
40  
112  
107  
55  
Falling power good threshold  
voltage (output overvoltage)  
High-to-low or low-to-high transition on the  
PG pin  
Power good deglitch delay  
PG pin Leakage current when open drain  
output is high  
IPG(LKG)  
VPG = 5.0 V  
IPG = 1 mA  
10  
100  
0.4  
nA  
V
VPG,OL  
PG pin low-level output voltage  
POWER STAGE  
RDSON(HS)  
RDSON(LS)  
fSW  
High-side MOSFET on-resistance  
Low-side MOSFET on-resistance  
Switching frequency, PWM mode  
35  
18  
57  
29  
VIN ≥5 V  
mΩ  
mΩ  
MHz  
VIN ≥5 V  
IOUT = 1 A, VOUT = 1.8 V  
2.0  
OVERCURRENT PROTECTION  
IHS(OC)  
High-side peak current limit  
TPS628303  
4.0  
4.6  
5.3  
A
A
ILS(NOC)  
Low-side negative current limit  
Sinking current limit on LS FET  
–2.0  
–1.75  
OUTPUT DISCHARGE  
IDIS  
Output discharge current on SW pin  
VIN > 2 V, VSW = 0.4 V, EN = LOW  
75  
400  
110  
mA  
%
OUTPUT OVP  
Overvoltage-protection (OVP) threshold  
voltage  
VOVP  
VFB rising; devices with OVP feature only  
108  
112  
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated  
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5
Product Folder Links: TPS628303  
 
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