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XP4286

更新时间： 2024-01-29 20:53:48

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-363

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XP4286 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
元件数量：	2	极性/信道类型：	NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

XP4286 数据手册

Composite Transistors

XP04315 (XP4315)

Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1)

Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2)

Unit: mm

For switching/digital circuits

2.1 0.1

0.425

1.25 0.1

0.425

Features

Two elements incorporated into one package.

(Transistors with built-in resistor)

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

Basic Part Number of Element

UNR1215(UN1215) + UNR1115(UN1115)

0.2 0.1

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Collector (Tr2) 6 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

S–Mini Type Package (6–pin)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Tr1

Marking Symbol: CB

Internal Connection

100

V_CBO

V_CEO

I_C

–50

Tr2

–50

Tr1

–100

150

˚C

P_T

Overall

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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