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XC7WH126DC PDF预览

XC7WH126DC

更新时间： 2024-02-29 13:50:00
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 驱动光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 207K
描述
Dual buffer/line driver; 3-stateProduction

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XC7WH126DC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：VSSOP,Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.61
系列：LV/LV-A/LVX/HJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：2.3 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：1
位数：1功能数量：2
端口数量：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED传播延迟（tpd）：14.5 ns
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：2 mmBase Number Matches：1

XC7WH126DC 数据手册

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Nexperia  
XC7WH126  
Dual buffer/line driver; 3-state  
11. Dynamic characteristics  
Table 8. Dynamic characteristics  
GND = 0 V; for test circuit see Fig. 7.  
Symbol Parameter Conditions  
25 °C  
-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit  
Min Typ Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
tpd  
propagation nA to nY; see Fig. 5  
[1]  
[2]  
delay  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
CL = 15 pF  
CL = 50 pF  
-
-
4.7  
8.0  
1.0  
1.0  
9.5  
1.0  
1.0  
11.5  
14.5  
ns  
ns  
6.6 11.5  
13.0  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
CL = 15 pF  
[3]  
-
-
3.4  
4.8  
5.5  
7.5  
1.0  
1.0  
6.5  
8.5  
1.0  
1.0  
7.0  
9.5  
ns  
ns  
CL = 50 pF  
ten  
enable time nOE to nY; see Fig. 6  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
CL = 15 pF  
[1]  
[2]  
-
-
5.0  
8.0  
1.0  
1.0  
9.5  
1.0  
1.0  
11.5  
14.5  
ns  
ns  
CL = 50 pF  
6.9 11.5  
13.0  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
CL = 15 pF  
[3]  
-
-
3.6  
4.9  
5.1  
7.5  
1.0  
1.0  
6.0  
9.0  
1.0  
1.0  
6.5  
9.5  
ns  
ns  
CL = 50 pF  
tdis  
disable time nOE to nY; see Fig. 6  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
CL = 15 pF  
[1]  
[2]  
-
-
6.0  
9.7  
1.0  
1.0  
11.5  
15.0  
1.0  
1.0  
12.5  
16.5  
ns  
ns  
CL = 50 pF  
8.3 13.2  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
CL = 15 pF  
[3]  
[4]  
-
-
-
4.1  
5.7  
10  
6.8  
8.8  
-
1.0  
1.0  
-
8.0  
10.0  
-
1.0  
1.0  
-
8.5  
11.0  
-
ns  
ns  
pF  
CL = 50 pF  
CPD  
power  
per buffer;  
dissipation  
CL = 50 pF; fi = 1 MHz;  
capacitance VI = GND to VCC  
[1] tpd is the same as tPLH and tPHL; ten is the same as tPZL and tPZH; tdis is the same as tPLZ and tPHZ  
.
[2] Typical values are measured at VCC = 3.3 V.  
[3] Typical values are measured at VCC = 5.0 V.  
[4] CPD is used to determine the dynamic power dissipation PD (μW).  
PD = CPD x VCC2 x fi + ∑ (CL x VCC2 x fo) where:  
fi = input frequency in MHz;  
fo = output frequency in MHz;  
CL = output load capacitance in pF;  
VCC = supply voltage in Volts.  
©
XC7WH126  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
Nexperia B.V. 2019. All rights reserved  
Product data sheet  
Rev. 3 — 25 February 2019  
5 / 12  
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XC7WH126DC,125 NXP

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 		XC7WH126 - Dual buffer/line driver; 3-state SSOP 8-Pin
XC7WH126DP NXP

获取价格

 		High-speed Si-gate CMOS device, dual non-inverting buffer/line driver with 3-state output
XC7WH126DP NEXPERIA

获取价格

 		Dual buffer/line driver; 3-stateProduction
XC7WH126DP,125 NXP

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 		XC7WH126 - Dual buffer/line driver; 3-state TSSOP 8-Pin
XC7WH126GD NXP

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 		High-speed Si-gate CMOS device, dual non-inverting buffer/line driver with 3-state output
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 		High-speed Si-gate CMOS device, three inverting buffers with Schmitt trigger action
XC7WH14DC NEXPERIA

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 		Triple inverting Schmitt triggerProduction
XC7WH14DC,125 NXP

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 		XC7WH14 - Triple inverting Schmitt trigger SSOP 8-Pin
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 		LV/LV-A/LVX/H SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO8, 3 MM, PLASTIC, SOT505-2, TSSOP-8

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