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XC7SH125GM

更新时间： 2024-01-07 15:42:26
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 驱动光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 224K
描述
Bus buffer/line driver; 3-stateProduction

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XC7SH125GM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：VSON,Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.58
系列：LV/LV-A/LVX/HJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e3长度：1.45 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：1
位数：1功能数量：1
端口数量：2端子数量：6
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED传播延迟（tpd）：14.5 ns
座面最大高度：0.5 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1 mmBase Number Matches：1

XC7SH125GM 数据手册

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Nexperia  
XC7SH125  
Bus buffer/line driver; 3-state  
11. Dynamic characteristics  
Table 8. Dynamic characteristics  
GND = 0 V; For test circuit see Fig. 8.  
Symbol Parameter  
Conditions  
25 °C  
-40 °C to  
+85 °C  
-40 °C to  
+125 °C  
Unit  
Min Typ Max Min Max Min Max  
tpd  
propagation  
delay  
A to Y; see Fig. 6  
[1]  
VCC = 3.0 V to 3.6 V; CL = 15 pF [2]  
VCC = 3.0 V to 3.6 V; CL = 50 pF [2]  
VCC = 4.5 V to 5.5 V; CL = 15 pF [3]  
VCC = 4.5 V to 5.5 V; CL = 50 pF [3]  
-
-
-
-
4.7  
8.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
9.5  
13.0  
6.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
11.5 ns  
6.6 11.5  
14.5 ns  
7.0 ns  
9.5 ns  
3.4  
4.8  
5.5  
7.5  
8.5  
ten  
enable time  
disable time  
OE to Y; see Fig. 7  
[1]  
VCC = 3.0 V to 3.6 V; CL = 15 pF [2]  
VCC = 3.0 V to 3.6 V; CL = 50 pF [2]  
VCC = 4.5 V to 5.5 V; CL = 15 pF [3]  
VCC = 4.5 V to 5.5 V; CL = 50 pF [3]  
-
-
-
-
5.0  
8.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
9.5  
13.0  
6.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
11.5 ns  
14.5 ns  
6.5 ns  
9.5 ns  
6.9 11.5  
3.6  
4.9  
5.1  
7.5  
8.5  
tdis  
OE to Y; see Fig. 7  
[1]  
VCC = 3.0 V to 3.6 V; CL = 15 pF [2]  
VCC = 3.0 V to 3.6 V; CL = 50 pF [2]  
VCC = 4.5 V to 5.5 V; CL = 15 pF [3]  
VCC = 4.5 V to 5.5 V; CL = 50 pF [3]  
-
-
-
-
-
6.0  
9.7  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
-
11.5  
15.0  
8.0  
10.0  
-
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
-
12.5 ns  
16.5 ns  
8.5 ns  
11.0 ns  
8.3 13.2  
4.1  
5.7  
9
6.8  
8.8  
-
CPD  
power  
per buffer; CL = 50 pF; f = 1 MHz;  
VI = GND to VCC  
[4]  
-
pF  
dissipation  
capacitance  
[1] tpd is the same as tPLH and tPHL  
ten is the same as tPZL and tPZH  
tdis is the same as tPLZ and tPHZ  
.
.
.
[2] Typical values are measured at VCC = 3.3 V.  
[3] Typical values are measured at VCC = 5.0 V.  
[4] CPD is used to determine the dynamic power dissipation PD (μW).  
PD = CPD × VCC 2 × fi + Σ(CL × VCC 2 × fo) where:  
fi = input frequency in MHz;  
fo = output frequency in MHz;  
CL = output load capacitance in pF;  
VCC = supply voltage in Volts.  
©
XC7SH125  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
Nexperia B.V. 2022. All rights reserved  
Product data sheet  
Rev. 4 — 10 January 2022  
5 / 13  
 
 
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与XC7SH125GM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XC7SH125GM,115 NXP

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 		XC7SH125 - Bus buffer_line driver; 3-state SON 6-Pin
XC7SH125GM,132 NXP

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 		XC7SH125 - Bus buffer_line driver; 3-state SON 6-Pin
XC7SH125GV NXP

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 		High-speed Si-gate CMOS device, one non-inverting buffer/line driver with 3-state output
XC7SH125GV NEXPERIA

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