Datasheet > X28C513EM-15

X28C513EM-15

更新时间： 2024-02-05 00:36:24

品牌	Logo	应用领域
英特矽尔 - INTERSIL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
25页	597K
描述
5V, Byte Alterable EEPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

X28C513EM-15 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	HQCCN,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	长度：	13.965 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	HQCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	座面最大高度：	3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.425 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

X28C513EM-15 数据手册

X28C512, X28C513

Data Sheet

September 29, 2005

FN8106.1

5V, Byte Alterable EEPROM

Features

• Access Time: 90ns

The X28C512, X28C513 are 64K x 8 EEPROM, fabricated

with Intersil’s proprietary, high performance, floating gate

CMOS technology. Like all Intersil programmable nonvolatile

memories, the X28C512, X28C513 are 5V only devices. The

X28C512, X28C513 feature the JEDEC approved pin out for

byte wide memories, compatible with industry standard

EPROMS.

• Simple Byte and Page Write

- Single 5V supply

• No external high voltages or V control circuits

- Self-timed

• No erase before write

• No complex programming algorithms

• No overerase problem

The X28C512, X28C513 support a 128-byte page write

operation, effectively providing a 39µs/byte write cycle and

enabling the entire memory to be written in less than 2.5

seconds. The X28C512, X28C513 also feature DATA Polling

and Toggle Bit Polling, system software support schemes

used to indicate the early completion of a write cycle. In

addition, the X28C512, X28C513 support the software data

protection option.

• Low Power CMOS

- Active: 50mA

- Standby: 500µA

• Software Data Protection

- Protects data against system level inadvertent writes

• High Speed Page Write Capability

™

• Highly Reliable Direct Write Cell

- Endurance: 100,000 write cycles

- Data retention: 100 years

- Early end of write detection

- DATA polling

- Toggle bit polling

• Two PLCC and LCC Pinouts

- X28C512

• X28C010 EPROM pin compatible

- X28C513

• Compatible with lower density EEPROMs

• Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.

All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.

12 3 4 5 6 7...25

中文翻译

下载PDF

与X28C513EM-15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X28C513EM-15T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EM-20	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EM-20	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513EM-25	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EM-25	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513EM-25	ROCHESTER	获取价格	EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EM-90	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EM-90-G	ROCHESTER	获取价格	EEPROM
X28C513EM-90T1	XICOR	获取价格	暂无描述
X28C513EMB-12	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM

与X28C513EM-15相关文章

解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-26

1
CR2032资料手册解读：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

0
CDSOT23-SM712参数分析、替代型号推荐
2024-06-26

1
RS1MB二极管资料解析：参数分析、产品特性
2024-06-26

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

X28C513EM-15

X28C513EM-15 技术参数

X28C513EM-15 数据手册

与X28C513EM-15相关器件

与X28C513EM-15相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

X28C513EM-15

X28C513EM-15 技术参数

X28C513EM-15 数据手册

与X28C513EM-15相关器件

与X28C513EM-15相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？