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X28C513J-15

更新时间： 2024-01-11 03:16:48

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罗彻斯特 - ROCHESTER		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	817K
描述
EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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X28C513J-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	Reach Compliance Code：	unknown
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	100000 ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; 128-BYTE PAGE
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X28C513J-15T1	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513J-15T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C513J-20	ROCHESTER	获取价格	EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C513J-20	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513J-20-G	ROCHESTER	获取价格	EEPROM
X28C513J-20T1	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513J-20T3	RENESAS	获取价格	EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C513J-25	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513J-25T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C513J-90	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM