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X28C513J-12T2

更新时间： 2024-02-05 18:16:35

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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24页	158K
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EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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X28C513J-12T2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	QCCJ,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	100000 ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; 128-BYTE PAGE
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.97 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

X28C513J-12T2 数据手册

512K

64K x 8 Bit

X28C512/X28C513

5 Volt, Byte Alterable EEPROM

FEATURES

• Two PLCC and LCC pinouts

—X28C512

• X28C010 EPROM pin compatible

—X28C513

• Access time: 90ns

• Simple byte and page write

—Single 5V supply

• No external high voltages or V control

circuits

—Self-timed

• Compatible with lower density EEPROMs

DESCRIPTION

• No erase before write

• No complex programming algorithms

• No overerase problem

• Low power CMOS

—Active: 50mA

—Standby: 500µA

• Software data protection

—Protects data against system level inadvertent

writes

• High speed page write capability

• Highly reliable Direct Write^™cell

—Endurance: 100,000 write cycles

—Data retention: 100 years

• Early end of write detection

—DATA polling

The X28C512/513 is a 64K x 8 EEPROM, fabricated

with Xicor’s proprietary, high performance, ﬂoating

gate CMOS technology. Like all Xicor programmable

nonvolatile memories, the X28C512/513 is a 5V only

device. The X28C512/513 features the JEDEC

approved pin out for byte wide memories, compatible

with industry standard EPROMS.

The X28C512/513 supports a 128-byte page write

operation, effectively providing a 39µs/byte write cycle

and enabling the entire memory to be written in less

than 2.5 seconds. The X28C512/513 also features

DATA Polling and Toggle Bit Polling, system software

support schemes used to indicate the early completion

of a write cycle. In addition, the X28C512/513 supports

the software data protection option.

—Toggle bit polling

BLOCK DIAGRAM

512Kbit

EEPROM

Array

X Buffers

Latches and

Decoder

A –A

I/O Buffers

and Latches

Y Buffers

Latches and

Decoder

A –A

I/O –I/O

Data Inputs/Outputs

Control

Logic and

Timing

Characteristics subject to change without notice. 1 of 24

REV 1.0 6/27/00

www.xicor.com

12 3 4 5 6 7...24

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