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X28C513EMB-15

更新时间： 2024-02-01 22:52:41
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 597K
描述
5V, Byte Alterable EEPROM

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X28C513EMB-15 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：QCCN, LCC32,.45X.55
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.38最长访问时间：150 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-CQCC-N32
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：64KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装等效代码：LCC32,.45X.55
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
页面大小：128 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883座面最大高度：3.05 mm
最大待机电流：0.0005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

X28C513EMB-15 数据手册

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X28C512, X28C513  
®
Data Sheet  
September 29, 2005  
FN8106.1  
5V, Byte Alterable EEPROM  
Features  
• Access Time: 90ns  
The X28C512, X28C513 are 64K x 8 EEPROM, fabricated  
with Intersil’s proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Intersil programmable nonvolatile  
memories, the X28C512, X28C513 are 5V only devices. The  
X28C512, X28C513 feature the JEDEC approved pin out for  
byte wide memories, compatible with industry standard  
EPROMS.  
• Simple Byte and Page Write  
- Single 5V supply  
• No external high voltages or V control circuits  
- Self-timed  
PP  
• No erase before write  
• No complex programming algorithms  
• No overerase problem  
The X28C512, X28C513 support a 128-byte page write  
operation, effectively providing a 39µs/byte write cycle and  
enabling the entire memory to be written in less than 2.5  
seconds. The X28C512, X28C513 also feature DATA Polling  
and Toggle Bit Polling, system software support schemes  
used to indicate the early completion of a write cycle. In  
addition, the X28C512, X28C513 support the software data  
protection option.  
• Low Power CMOS  
- Active: 50mA  
- Standby: 500µA  
• Software Data Protection  
- Protects data against system level inadvertent writes  
• High Speed Page Write Capability  
™
• Highly Reliable Direct Write Cell  
- Endurance: 100,000 write cycles  
- Data retention: 100 years  
- Early end of write detection  
- DATA polling  
- Toggle bit polling  
• Two PLCC and LCC Pinouts  
- X28C512  
• X28C010 EPROM pin compatible  
- X28C513  
• Compatible with lower density EEPROMs  
• Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1
1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.  
Copyright Intersil Americas Inc. 2005. All Rights Reserved  
All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.  
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与X28C513EMB-15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C513EMB-15T1 XICOR

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 		EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EMB-20 XICOR

获取价格

 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EMB-20 INTERSIL

获取价格

 		5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513EMB-20T1 XICOR

获取价格

 		EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EMB-25 XICOR

获取价格

 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EMB-25 INTERSIL

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 		5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513EMB-25T1 XICOR

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 		EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EMB-90 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EMB-90T1 XICOR

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 		EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513J-12 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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