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X20C16S-45

更新时间： 2024-11-12 22:39:51
品牌 Logo 应用领域
XICOR 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
21页 96K
描述
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM

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X20C16S-45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, SOIC-28Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72Is Samacsys：N
最长访问时间：45 ns其他特性：MINIMUM 100 YEARS OF DATA RETENTION
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：17.9 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.45
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
最大待机电流：0.00025 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

X20C16S-45 数据手册

 浏览型号X20C16S-45的Datasheet PDF文件第2页浏览型号X20C16S-45的Datasheet PDF文件第3页浏览型号X20C16S-45的Datasheet PDF文件第4页浏览型号X20C16S-45的Datasheet PDF文件第5页浏览型号X20C16S-45的Datasheet PDF文件第6页浏览型号X20C16S-45的Datasheet PDF文件第7页 
APPLICATION NOTE  
A V A I L A B L E  
AN56  
16K  
X20C16  
2K x 8 Bit  
High Speed AUTOSTORE™ NOVRAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• Fast Access Time: 35ns, 45ns, 55ns  
• High Reliability  
TheXicorX20C16isa2Kx8NOVRAMfeaturingahigh-  
speed static RAM overlaid bit-for-bit with a nonvolatile  
electrically erasable PROM (E2PROM) and the  
AUTOSTORE feature which automatically saves the  
RAMcontentstoE2PROMatpower-down. TheX20C16  
isfabricatedwithadvancedCMOSfloatinggatetechnol-  
ogy to achieve high speed with low power and wide  
power-supply margin. The X20C16 features a compat-  
ible JEDEC approved pinout for byte-wide memories,  
for industry standard RAMs, ROMs, EPROMs, and  
E2PROMs.  
—Endurance: 1,000,000 Nonvolatile Store  
Operations  
—Retention: 100 Years Minimum  
• AUTOSTORE™ NOVRAM  
—Automatically Stores RAM Data Into the  
E2PROM Array When VCC Low Threshold is  
Detected  
—User Enabled Option  
—Open Drain AUTOSTORE Status Output Pin  
• Power-on Recall  
The NOVRAM design allows data to be easily trans-  
ferred from RAM to E2PROM (store) and E2PROM to  
RAM(recall). Thestoreoperationiscompletedin5msor  
less and the recall operation is completed in 10µs or  
less. An automatic array recall operation reloads the  
contents of the E2PROM into RAM upon power-up.  
—E2PROM Data Automatically Recalled Into  
RAM Upon Power-up  
• Software Data Protection  
—Locks Out Inadvertent Store Operations  
• Low Power CMOS  
—Standby: 250µA  
• Infinite E2PROM Array Recall, and RAM Read  
and Write Cycles  
Xicor NOVRAMS are designed for unlimited write  
operations to RAM, either from the host or recalls from  
E2PROM, andaminimum1,000,000storeoperationsto  
the E2PROM. Data retention is specified to be greater  
than 100 years.  
PIN CONFIGURATION  
PLASTIC  
CERDIP  
TSOP  
NE  
NC  
1
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27  
26  
25  
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20  
19  
18  
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16  
15  
V
CC  
2
WE  
A
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A
6
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4
A
3
A
2
A
1
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0
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4
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LCC  
PLCC  
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SOIC  
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19  
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15  
NC  
OE  
A
10  
CE  
X20C16  
8
A
X20C16  
10  
2
4
3
2
1
32 31 30  
29  
9
CE  
3
A
9
I/O  
7
A
A
A
A
A
A
A
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6
7
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9
A
A
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I/O  
7
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5
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0
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A
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
V
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4
3
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I/O  
0
1
2
5
AS  
NC  
NC  
OE  
A
I/O  
I/O  
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6
WE  
7
X20C16  
(TOP VIEW)  
V
CC  
NE  
X20C16  
I/O  
3
SS  
8
SS  
10  
11  
12  
13  
10  
3826 FHD F02  
9
NC  
I/O  
2
1
0
CE  
10  
11  
12  
13  
14  
A
7
I/O  
I/O  
NC  
I/O  
7
A
3826 ILL F17.2  
6
I/O  
I/O  
0
6
A
5
A
0
14 15 16 17 18 19 20  
A
A
4
1
3826 FHD F15.1  
A
3
A
2
3826 FHD F03  
AUTOSTORE™ NOVRAM is a trademark of Xicor, Inc.  
©Xicor, Inc. 1991, 1995, 1996 Patents Pending  
3826-2.9 7/31/97 T4/C0/D0 SH  
Characteristics subject to change without notice  
1
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与X20C16S-45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X20C16S-55 XICOR

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 		High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM
X20C16S-55T1 XICOR

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 		Non-Volatile SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X20C16SI-35 XICOR

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 		High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM
X20C16SI-45 XICOR

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X20C16SI-55 XICOR

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