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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 可编程只读存储器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 55K | |
描述 | ||
HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.71 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 32.135 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.72 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.095 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS57C49C-55DMB | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-55FMB | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-55J | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-55T | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-55TMB | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-70 | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-70CMB | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-70D | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C49C-70TMB | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C51C | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 16K x 8 CMOS PROM/RPROM |