是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.61 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 |
备用内存宽度: | 16 | JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 |
长度: | 30.1 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 6.22 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 30.1 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS128K32N-120HME | WEDC |
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SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HI |
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WS128K32N-120HQ | ETC |
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x32 SRAM Module |
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WS128K32N-120HQE | WEDC |
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SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CHIP66, |
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WS128K32N-120HSC | WEDC |
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SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CHIP66, |
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WS128K32N-120HSI | WEDC |
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SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HI |
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WS128K32N-120HSQ | WEDC |
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SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HI |
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WS128K32N-15G2LI | MICROSEMI |
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Standard SRAM, |
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WS128K32N-15G2LIA | MICROSEMI |
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Standard SRAM, |
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WS128K32N-15G2LMA | MICROSEMI |
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Standard SRAM, |
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WS128K32N-15G2UCA | MICROSEMI |
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Standard SRAM, |
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