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WS128K32N-120HM

更新时间: 2024-02-03 03:46:59
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 278K
描述
x32 SRAM Module

WS128K32N-120HM 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:USER CONFIGURABLE AS 128K X 32
备用内存宽度:16JESD-30 代码:S-CPGA-P66
长度:30.1 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:66
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:PGA
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:6.22 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:PIN/PEG端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:30.1 mmBase Number Matches:1

WS128K32N-120HM 数据手册

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