是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8533.21.00.80 |
风险等级: | 5.73 | 其他特性: | NON INDUCTIVE |
JESD-609代码: | e3 | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装形状: | TUBULAR PACKAGE |
包装方法: | TR, 11 INCH | 额定功率耗散 (P): | 5 W |
额定温度: | 70 °C | 电阻: | 0.5 Ω |
电阻器类型: | FIXED RESISTOR | 表面贴装: | NO |
技术: | WIRE WOUND | 温度系数: | 90 ppm/ °C |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形状: | WIRE |
容差: | 1% | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WNET-SERIES | ETC |
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Interface IC | |
WNM02143DN | WILLSEMI |
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MOSFET | |
WNM03301D | WILLSEMI |
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MOSFET | |
WNM03330DN | WILLSEMI |
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MOSFET | |
WNM2016 | TYSEMI |
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N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET Excellent ON resistance for higher DC current | |
WNM2016-3 | TYSEMI |
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N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET Excellent ON resistance for higher DC current | |
WNM2016-3/TR | VBSEMI |
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N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
WNM2016-3TR | VBSEMI |
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N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
WNM2016-3TR | TYSEMI |
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N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET Excellent ON resistance for higher DC current | |
WNM2016A | WILLSEMI |
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MOSFET |