是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.79 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | CAN ALSO BE CONFIGURED AS 2 X 4M X 16 OR 4 X 4M X 8 | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 35.2 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | FLASH MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 64 |
端子数量: | 66 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4MX32 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA66,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.7 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.02 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.42 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 35.2 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF4M32-100H2M5 | WEDC |
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4Mx32 5V FLASH MODULE | |
WF4M32-100H2M5 | MICROSEMI |
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Flash Module, 4MX32, 100ns, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | |
WF4M32-100H2M5 | MERCURY |
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Flash Module, 4MX32, 100ns, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | |
WF4M32-100H2M5A | WEDC |
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4Mx32 5V FLASH MODULE | |
WF4M32-100H2M5A | MERCURY |
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Flash Module, | |
WF4M32-100H2Q5A | MERCURY |
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Flash Module, | |
WF4M32-120G2I5 | WEDC |
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Flash Module, 4MX32, 120ns, CQFP68, | |
WF4M32-120G2M5 | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
WF4M32-120G2TC5 | WEDC |
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4Mx32 5V FLASH MODULE | |
WF4M32-120G2TC5A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 4MX32, 120ns, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CER |