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WE256K16-200CQ

更新时间： 2024-09-16 07:57:59

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美高森美 - MICROSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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10页	259K
描述
EEPROM Module, 256KX16, 200ns, Parallel, CMOS, CDMA40,

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WE256K16-200CQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.81
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码：	R-CDMA-T40	JESD-609代码：	e4
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EEPROM MODULE
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WE256K16-200CQA	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX16, 200ns, Parallel, CMOS, CDMA40,
WE256K16-250CIA	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX16, 250ns, Parallel, CMOS, CDMA40,
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WE256K16-250CQA	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX16, 250ns, Parallel, CMOS, CDMA40,
WE256K16-300CCA	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX16, 300ns, Parallel, CMOS, CDMA40,
WE256K16-300CMA	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX16, 300ns, Parallel, CMOS, CDMA40,
WE256K16-300CQA	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX16, 300ns, Parallel, CMOS, CDMA40,
WE256K8150CC	MERCURY	获取价格	EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, DUAL CAVITY, BOTTOM
WE256K8-150CC	WEDC	获取价格	512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091
WE256K8150CCA	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, DUAL CAVITY, BOTTOM