是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | DIP, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 150 ns |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 40.6 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 5.1 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Gold (Au) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WE256K8-150CM | WEDC |
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512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091 | |
WE256K8150CMA | WEDC |
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EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, DUAL CAVITY, BOTTOM | |
WE256K8-150CMA | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091 | |
WE256K8150CQ | MICROSEMI |
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256KX8 EEPROM 5V MODULE, 150ns, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | |
WE256K8-150CQ | WEDC |
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512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091 | |
WE256K8150CQA | MERCURY |
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EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, DUAL CAVITY, BOTTOM | |
WE256K8-150CQA | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091 | |
WE256K8200CC | WEDC |
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EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, DUAL CAVITY, BOTTOM | |
WE256K8-200CC | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091 | |
WE256K8200CCA | WEDC |
获取价格 |
EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, DUAL CAVITY, BOTTOM |