5秒后页面跳转
W55F01B PDF预览

W55F01B

更新时间: 2024-11-30 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 204K
描述
Flash, 128KX1, PDIP8, DIP-8

W55F01B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-8针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.92
最大时钟频率 (fCLK):1 MHz数据保留时间-最小值:10
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0内存密度:131072 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:1
功能数量:1端子数量:8
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000004 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.01 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.4 V标称供电电压 (Vsup):4.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

W55F01B 数据手册

 浏览型号W55F01B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W55F01B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W55F01B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W55F01B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W55F01B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W55F01B的Datasheet PDF文件第7页 
Winbond W55Fxxx  
Serial Flash Memory  
Data Sheet  

与W55F01B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W55F05 WINBOND

获取价格

SERIAL FLASH EEPROM SERIES
W55F10 WINBOND

获取价格

SERIAL FLASH EEPROM SERIES
W55F10A ETC

获取价格

SERIAL EEPROM|FLASH|CMOS|PLASTIC
W55F10AG WINBOND

获取价格

暂无描述
W55F10BG WINBOND

获取价格

Flash, 1MX1, PDIP8, LEAD FREE, DIP-8
W55F20 WINBOND

获取价格

SERIAL FLASH EEPROM SERIES
W55FC200 ETC

获取价格

Interactive Toy Family
W55FC236 ETC

获取价格

Interactive Toy Family
W55FXX WINBOND

获取价格

SERIAL FLASH EEPROM SERIES
W55MID15 WINBOND

获取价格

MFIDWB TRANSPONDER