是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.88 |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX1 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8(UNSPEC) | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 4.5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000004 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W55F10A | ETC |
获取价格 |
SERIAL EEPROM|FLASH|CMOS|PLASTIC | |
W55F10AG | WINBOND |
获取价格 |
暂无描述 | |
W55F10BG | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 1MX1, PDIP8, LEAD FREE, DIP-8 | |
W55F20 | WINBOND |
获取价格 |
SERIAL FLASH EEPROM SERIES | |
W55FC200 | ETC |
获取价格 |
Interactive Toy Family | |
W55FC236 | ETC |
获取价格 |
Interactive Toy Family | |
W55FXX | WINBOND |
获取价格 |
SERIAL FLASH EEPROM SERIES | |
W55MID15 | WINBOND |
获取价格 |
MFIDWB TRANSPONDER | |
W55MID15 | NUVOTON |
获取价格 |
Nuvoton MFID Transponder | |
W55MID15M08 | NUVOTON |
获取价格 |
Nuvoton MFID Transponder |