生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.84 |
最大时钟频率 (fCLK): | 20 MHz | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX1 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000015 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 11.43 mm | 写保护: | HARDWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W45B012Z | WINBOND |
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1M x 1 SERIAL FLASH MEMORY | |
W45B512 | WINBOND |
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512k * 1 SERIAL FLASH | |
W45NM50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 550V Tjmax - 0.08ohm - 45A TO-247 MDmesh TM MOSFET | |
W45NM60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.09ohm - 45A TO-247 MDmes TM Power MOSFET | |
W4601DW | WEITRON |
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Dual Epitaxial Planer Transistor | |
W4693QK050 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4693A, 500V V(RRM), Silicon, | |
W4693QK050 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4693A, 500V V(RRM), Silicon, | |
W4693QK080 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4693A, 800V V(RRM), Silicon, | |
W4693QK080 | LITTELFUSE |
获取价格 |
我们种类繁多的整流器二极管可提供一流的性能和可靠性。 可提供阻断电压在200V至7.2kV | |
W4693QR050 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4693A, 500V V(RRM), Silicon, |