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W3EG64128S263D3MG

更新时间： 2024-09-18 09:49:19

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	294K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184

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W3EG64128S263D3MG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	184
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.62
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

W3EG64128S263D3MG 数据手册

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W3EG64128S-D3

-JD3

White Electronic Designs

ADVANCED*

1GB – 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

FEATURES

DESCRIPTION

ꢀ

Double-data-rate architecture

The W3EG64128S is a 2x64Mx64 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 512Mb DDR SDRAM

component. The module consists of sixteen 64Mx8 DDR

SDRAMs in 66 pin TSOP packages mounted on a 184

pin FR4 substrate.

ꢀ

Clock speeds of 100MHz, 133MHz, 166MHz and

200MHz

ꢀ

DDR200, DDR266, DDR333 and DDR400

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK & CK#)

Programmable Read Latency 2,2.5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interleave)

Edge aligned data output, center aligned data input.

Auto and self refresh

Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock. Data I/O transactions are possible on

both edges and Burst Lengths allow the same device to be

useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change or cancellation without notice.

Serial presence detect

NOTE: Consult factory for availability of:

• RoHS compliant products

Dual Rank

• Vendor source control options

• Industrial temperature option

Power supply:

• V_CC= V_CCQ= +2.5V ±0.2V (100, 133 and 166 MHz)

• V_CC= V_CCQ= +2.6V ±0.1V (200 MHz)

JEDEC standard 184 pin DIMM package

• JD3 PCB height: 30.48 (1.20") MAX

ꢀ

OPERATING FREQUENCIES

DDR400 @ CL=3

200MHz

DDR333 @ CL=2.5

166MHz

DDR266 @ CL=2

133MHz

DDR266 @ CL=2

133MHz

DDR266 @ CL=2.5

133MHz

DDR200 @ CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

3-3-3

2.5-3-3

2-2-2

2-3-3

2.5-3-3

2-2-2

December 2006

Rev. 6

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

12 3 4 5 6 7...12

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与W3EG64128S263D3MG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W3EG64128S263D3S	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
W3EG64128S263D3SG	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
W3EG64128S263JD3	WEDC	获取价格	1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG64128S263JD3M	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
W3EG64128S263JD3MG	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
W3EG64128S263JD3S	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
W3EG64128S263JD3SG	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
W3EG64128S265AD4	WEDC	获取价格	1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED w/PLL
W3EG64128S265BD4	WEDC	获取价格	1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED w/PLL
W3EG64128S265D3	WEDC	获取价格	1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

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