W39L040P-70J

更新时间： 2024-11-08 22:14:51

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华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路
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27页	332K
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512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W39L040P-70J 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	1000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.97 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	4K words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

W39L040P-70J 数据手册

W39L040

512K × 8 CMOS FLASH MEMORY

1. GENERAL DESCRIPTION

The W39L040 is a 4Mbit, 3.3-volt only CMOS flash memory organized as 512K × 8 bits. For flexible

erase capability, the 4Mbits of data are divided into 8 uniform sectors of 64 Kbytes, which are

composed of 16 smaller even pages with 4 Kbytes. The byte-wide (× 8) data appears on DQ7 − DQ0.

The device can be programmed and erased in-system with a standard 3.3V power supply. A 12-volt

VPP is not required. The unique cell architecture of the W39L040 results in fast program/erase

operations with extremely low current consumption (compared to other comparable 3.3-volt flash

memory products). The device can also be programmed and erased by using standard EPROM

programmers.

2. FEATURES

• Single 3.3-volt operations

− 3.3-volt Read

− 3.3-volt Erase

− 3.3-volt Program

• Fast Program operation:

− Byte-by-Byte programming: 50 µS (max.)

• Fast Erase operation:

− Chip Erase cycle time: 100 mS (max.)

− Sector Erase cycle time: 25 mS (max.)

− Page Erase cycle time: 25 mS (max.)

• Read access time: 70/90 nS

• Hardware protection:

− Optional 16K byte or 64K byte Top/Bottom

Boot Block with lockout protection

• Flexible 4K-page size can be used as

Parameter Blocks

• Typical program/erase cycles: 1K/10K

• Twenty-year data retention

• Low power consumption

− Active current: 10 mA (typ.)

− Standby current: 2 µA (typ.)

• End of program detection

− Software method: Toggle bit/Data polling

• TTL compatible I/O

• 8 Even sectors with 64K bytes each, which is

composed of 16 flexible pages with 4K bytes

• JEDEC standard byte-wide pinouts

• Any individual sector or page can be erased

• Available packages: 32L PLCC, 32L TSOP (8 x

20 mm) and 32L STSOP (8 x 14 mm)

Publication Release Date: February 10, 2003

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...27

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W39L040P-70K	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040P-70Z	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
W39L040P-90	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040P-90B	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040P-90J	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
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