W39L040P-70K

更新时间： 2024-11-08 22:14:51

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	332K
描述
512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W39L040P-70K 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
长度：	13.97 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	4K words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

W39L040P-70K 数据手册

W39L040

512K × 8 CMOS FLASH MEMORY

1. GENERAL DESCRIPTION

The W39L040 is a 4Mbit, 3.3-volt only CMOS flash memory organized as 512K × 8 bits. For flexible

erase capability, the 4Mbits of data are divided into 8 uniform sectors of 64 Kbytes, which are

composed of 16 smaller even pages with 4 Kbytes. The byte-wide (× 8) data appears on DQ7 − DQ0.

The device can be programmed and erased in-system with a standard 3.3V power supply. A 12-volt

VPP is not required. The unique cell architecture of the W39L040 results in fast program/erase

operations with extremely low current consumption (compared to other comparable 3.3-volt flash

memory products). The device can also be programmed and erased by using standard EPROM

programmers.

2. FEATURES

• Single 3.3-volt operations

− 3.3-volt Read

− 3.3-volt Erase

− 3.3-volt Program

• Fast Program operation:

− Byte-by-Byte programming: 50 µS (max.)

• Fast Erase operation:

− Chip Erase cycle time: 100 mS (max.)

− Sector Erase cycle time: 25 mS (max.)

− Page Erase cycle time: 25 mS (max.)

• Read access time: 70/90 nS

• Hardware protection:

− Optional 16K byte or 64K byte Top/Bottom

Boot Block with lockout protection

• Flexible 4K-page size can be used as

Parameter Blocks

• Typical program/erase cycles: 1K/10K

• Twenty-year data retention

• Low power consumption

− Active current: 10 mA (typ.)

− Standby current: 2 µA (typ.)

• End of program detection

− Software method: Toggle bit/Data polling

• TTL compatible I/O

• 8 Even sectors with 64K bytes each, which is

composed of 16 flexible pages with 4K bytes

• JEDEC standard byte-wide pinouts

• Any individual sector or page can be erased

• Available packages: 32L PLCC, 32L TSOP (8 x

20 mm) and 32L STSOP (8 x 14 mm)

Publication Release Date: February 10, 2003

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...27

中文翻译

下载PDF

与W39L040P-70K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W39L040P-70Z	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
W39L040P-90	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040P-90B	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040P-90J	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040P-90K	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040P-90Z	WINBOND	获取价格	暂无描述
W39L040Q-70	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040Q-70B	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040Q-70J	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040Q-70K	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY

与W39L040P-70K相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

47
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W39L040P-70K

W39L040P-70K 技术参数

W39L040P-70K 数据手册

与W39L040P-70K相关器件

与W39L040P-70K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W39L040P-70K

W39L040P-70K 技术参数

W39L040P-70K 数据手册

与W39L040P-70K相关器件

与W39L040P-70K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？