Datasheet > W29C102Q-70

W29C102Q-70

更新时间： 2024-11-08 02:50:55

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		/
页数	文件大小	规格书
21页	253K
描述
64K 16 CMOS FLASH MEMORY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W29C102Q-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.82
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	1K PROGRAM/ ERASE CYCLE; DATA RETENTION= 10 YEARS
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e3	长度：	12.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms

W29C102Q-70 数据手册

W29C102

64K ´ 16 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C102 is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 64K ´ 16 bits. The

device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29C102 results in fast program/erase operations

with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory

products). The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- 128 words per page

· Automatic program timing with internal VPP

generation

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective word-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Read access time: 70/90/120 nS

· Typical page program/erase cycles: 1K/10K

· Ten-year data retention

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard word-wide pinouts

· Software and hardware data protection

· Available packages: 40-pin 600 mil DIP, TSOP

and 44-pin PLCC

Publication Release Date: March 1998

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与W29C102Q-70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C102Q-70B	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102Q-90	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102Q-90B	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102T-12	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102T-12B	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102T-70	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102T-70B	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102T-90	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C102T-90B	WINBOND	获取价格	64K 16 CMOS FLASH MEMORY
W29C512A	WINBOND	获取价格	64 K x 8 CMOS FLASH MEMORY

与W29C102Q-70相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

20
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

18
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

43
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C102Q-70

W29C102Q-70 技术参数

W29C102Q-70 数据手册

与W29C102Q-70相关器件

与W29C102Q-70相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C102Q-70

W29C102Q-70 技术参数

W29C102Q-70 数据手册

与W29C102Q-70相关器件

与W29C102Q-70相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？