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W25P022AD-7

更新时间： 2024-11-14 22:11:27

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17页	310K
描述
64K X 32 BURST PIPELINED HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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W25P022AD-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	MO-136, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	7 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

W25P022AD-7 数据手册

W25P022A

64K ´ 32 BURST PIPELINED HIGH-SPEED

CMOS STATIC RAM

GENERAL DESCRIPTION

The W25P022A is a high-speed, low-power, synchronous-burst pipelined CMOS static RAM

organized as 65,536 ´ 32 bits that operates on a single 3.3-volt power supply. A built-in two-bit burst

address counter supports both Pentiumä burst mode and linear burst mode. The mode to be

executed is controlled by the LBO pin. Pipelining or non-pipelining of the data outputs is controlled by

the FT pin. A snooze mode reduces power dissipation.

The W25P022A supports both 2T/2T mode and 2T/1T mode, which can be selected by pin 42. The

default mode is 2T/1T, with pin 42 low. To switch to 2T/2T mode, bias pin 42 to VDDQ. The state of

pin 42 should not be changed after power up. The 2T/2T mode will sustain one cycle of valid data

output in a burst read cycle when the device is deselected by CE2/CE3 . This mode supports 3-1-1-1-

1-1-1-1 in a two-bank, back-to-back burst read cycle. On the other hand, the 2T/1T mode disables

data output within one cycle in a burst read cycle when the device is deselected by CE2/CE3 . In this

mode, the device supports only 3-1-1-1-2-1-1-1 in a two-bank, back-to-back burst read cycle.

FEATURES

· Synchronous operation

· High-speed access time: 6/7 nS (max.)

· Single +3.3V power supply

· Individual byte write capability

· 3.3V LVTTL compatible I/O

· Clock-controlled and registered input

· Asynchronous output enable

· Pipelined/non-pipelined data output capability

· Supports snooze mode (low-power state)

· Internal burst counter supports Intel burst mode

& linear burst mode

· Supports both 2T/2T & 2T/1T mode

· Packaged in 100-pin QFP or TQFP

BLOCK DIAGRAM

INPUT

A(15:0)

64K X 32

CORE

ARRAY

CLK

CE(3:1)

BWE

CONTROL

LOGIC

BW(4:1)

DATA I/O

I/O(32:1)

REGISTE

ADSC

ADSP

ADV

LBO

Publication Release Date: September 1996

- 1 -

Revision A1

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W25P022AF-6	WINBOND	获取价格	64K X 32 BURST PIPELINED HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
W25P022AF-7	WINBOND	获取价格	64K X 32 BURST PIPELINED HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
W25P025AD-6	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MO-136, TQFP-100
W25P025AD-6F	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MO-136, TQFP-100
W25P025AD-7F	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, MO-136, TQFP-100
W25P025AF-6F	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100
W25P025AF-7	WINBOND	获取价格	Standard SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, MO-108, QFP-100
W25P10	WINBOND	获取价格	1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 40MHZ SPI
W25P10-VNI	WINBOND	获取价格	1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 40MHZ SPI
W25P10-VNIG	WINBOND	获取价格	1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 40MHZ SPI

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