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W1032LC600

更新时间： 2024-09-16 06:30:27

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力特 - LITTELFUSE		二极管
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9页	749K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1032A, 6000V V(RRM), Silicon,

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W1032LC600 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	8000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1032 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	6000 V
最大反向恢复时间：	30 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

W1032LC600 数据手册

Date:- 4 Aug, 2003

Data Sheet Issue:- 1

Rectifier Diode

Types W1032LC500 to W1032LC600

(Old Part Number: SW50-60CXC350)

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

5000-6000

5100-6100

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Nominal RMS forward current, T_sink=100°C, (note 3)

1032

689

432

I_F(RMS)MNominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

1912

1717

I_F(d.c.)

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

I_FSM

I_FSM2

I²t

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

Operating temperature range

7200

8000

259×10³

320×10³

-40 to +150

-55 to +150

A²s

°C

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 150°C T_jinitial.

Data Sheet. Type W1032LC500 to W1032LC600 Issue 1

Page 1 of 8

July, 2003

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