VUO82-06NO7

更新时间： 2024-11-04 22:17:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		三相整流桥整流二极管桥式整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
1页	34K
描述
Three Phase Rectifier Bridge

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VUO82-06NO7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PUFM-X5	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.6 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X5
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	750 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	88 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	35	Base Number Matches：	1

VUO82-06NO7 数据手册

VUO 62

VUO 82

I_dAV= 63/88 A

V_RRM= 800-1800 V

Three Phase

Rectifier Bridge

–

V_RSM

V_RRM

Type

600

800

1200

1400

1600

1800

600

800

1200

1400

1600

1800

VUO 62-06NO7 VUO 82-06NO7

VUO 62-08NO7 VUO 82-08NO7

VUO 62-12NO7 VUO 82-12NO7

VUO 62-14NO7 VUO 82-14NO7

VUO 62-16NO7 VUO 82-16NO7

VUO 62-18NO7* VUO 82-18NO7*

* delivery time on request

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

VUO 62 VUO 82

Features

●

Package with screw terminals

Isolation voltage 3000 V~

Planar passivated chips

Blocking voltage up to 1800 V

Low forward voltage drop

UL registered E72873

I_dAV

T_C= 110°C, module

T_A= 45°C (R_thCA= 0.6 K/W), module

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

550

600

750

820

●

T_VJ= T_VJMt = 10 ms (50 Hz), sine

500

550

670

740

V_R= 0

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

Applications

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1520

2800

A²s

●

Supplies for DC power equipment

Input rectifiers for PWM inverter

Battery DC power supplies

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1250

2250

●

Field supply for DC motors

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

●

Easy to mount with two screws

Space and weight savings

Improved temperature and power

●

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

●

I_ISOL£ 1 mA

cycling

M_d

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M5)

5 ± 15 %

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

M5x10

Weight

Symbol

typ.

160

Test Conditions

Characteristic Values

VUO 62 VUO 82

I_R

V_R= V_RRM; T_VJ= 25°C

V_R= V_RRM; T_VJ= T_VJM

0.3

0.3 mA

V_F

I_F= 150 A; T_VJ= 25°C

1.8

1.6

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

0.8

2.5

R_thJC

per diode

1.45

1.1 K/W

per module

0.24 0.183 K/W

1.87 1.52 K/W

0.31 0.253 K/W

R_thJH

per diode

per module

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

9.4

m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 1

中文翻译

下载PDF

与VUO82-06NO7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VUO82-08NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO82-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO82-12NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO82-12NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO82-14NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO82-14NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO82-16NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO82-16NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO82-18NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO82-18NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

与VUO82-06NO7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO82-06NO7

VUO82-06NO7 技术参数

VUO82-06NO7 数据手册

与VUO82-06NO7相关器件

与VUO82-06NO7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO82-06NO7

VUO82-06NO7 技术参数

VUO82-06NO7 数据手册

与VUO82-06NO7相关器件

与VUO82-06NO7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？