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VUO85-12NO7

更新时间： 2024-11-05 14:45:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
1页	56K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 85A, 1200V V(RRM), Silicon,

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VUO85-12NO7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PUFM-X11	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.6 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X11	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	750 A	元件数量：	6
相数：	3	端子数量：	11
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	85 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

VUO85-12NO7 数据手册

VUO 85

I_dAV= 85 A

V_RRM= 800-1600 V

Three Phase

Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRM

Types

900

1300

1500

1700

800

1200

1400

1600

VUO 85-08NO7

VUO 85-12NO7

VUO 85-14NO7

VUO 85-16NO7

Symbol

Test Conditions

T_C= 100°C, module

Maximum Ratings

Features

I_dAV

I_FSM

①

• Package with copper base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• ¼" fast-on power terminals

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

750

820

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

600

700

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2800

2820

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2200

2250

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

• Field supply for DC motors

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

M_d

Mounting torque (M5)

(10-32 UNF)

typ.

5 ± 15 %

44 ± 15 % lb.in.

110

• Small and light weight

Weight

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.5 mA

10 mA

V_F

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

1.6

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

0.8

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current

per module

1.3 K/W

0.22 K/W

1.6 K/W

0.27 K/W

R_thJH

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

16.1 mm

7.5 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 1

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与VUO85-12NO7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VUO85-14NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 85A, 1400V V(RRM), Silicon
VUO86	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO86-08NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO86-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO86-12NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO86-12NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO86-14NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO86-16NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO86-16NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO98-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

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