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VUO85-14NO7

更新时间： 2024-09-16 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 56K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 85A, 1400V V(RRM), Silicon

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VUO85-14NO7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PUFM-X11Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.8
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.6 VJESD-30 代码：R-PUFM-X11
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：750 A
元件数量：6相数：3
端子数量：11最高工作温度：150 °C
最大输出电流：85 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1400 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：35Base Number Matches：1

VUO85-14NO7 数据手册

  
VUO 85  
IdAV = 85 A  
VRRM = 800-1600 V  
Three Phase  
Rectifier Bridge  
Preliminary data  
A
VRSM  
V
VRRM  
V
Types  
C
D
E
900  
1300  
1500  
1700  
800  
1200  
1400  
1600  
VUO 85-08NO7  
VUO 85-12NO7  
VUO 85-14NO7  
VUO 85-16NO7  
B
Symbol  
Test Conditions  
TC = 100°C, module  
Maximum Ratings  
Features  
IdAV  
IFSM  
①
85  
A
• Package with copper base plate  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
• Low forward voltage drop  
• ¼" fast-on power terminals  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
750  
820  
A
A
T
VJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
600  
700  
A
A
VR = 0  
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2800  
2820  
A2s  
A2s  
Applications  
• Supplies for DC power equipment  
• Input rectifiers for PWM inverter  
• Battery DC power supplies  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2200  
2250  
A2s  
A2s  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
• Field supply for DC motors  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
IISOL £ 1 mA t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
Md  
Mounting torque (M5)  
(10-32 UNF)  
typ.  
5 ± 15 %  
44 ± 15 % lb.in.  
110  
Nm  
• Small and light weight  
Weight  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
;
;
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
£
£
0.5 mA  
10 mA  
VF  
IF = 150 A;  
TVJ = 25°C  
£
1.6  
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
0.8  
6
V
mW  
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode, DC current  
per module  
1.3 K/W  
0.22 K/W  
1.6 K/W  
0.27 K/W  
RthJH  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air  
Max. allowable acceleration  
16.1 mm  
7.5 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated  
① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
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