VUO80-14NO1

更新时间： 2024-11-21 03:02:07

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IXYS		三相整流桥整流二极管桥式整流二极管局域网
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Three Phase Rectifier Bridge

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VUO80-14NO1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PUFM-X7
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.32	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.5 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X7	JESD-609代码：	e4
最大非重复峰值正向电流：	600 A	元件数量：	6
相数：	3	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	82 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1400 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VUO80-14NO1 数据手册

VUO 80

I_dAVM= 82 A

V_RRM= 800-1800 V

Three Phase

Rectifier Bridge

1/2

V_RSM

V_RRM

Type

900

800

VUO 80-08NO1

VUO 80-12NO1

VUO 80-14NO1

VUO 80-16NO1

VUO 80-18NO1

1300

1500

1700

1900

1200

1400

1600

1800

4/5

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

●

Package with DCB ceramic base plate

Isolation voltage 3600 V~

Planar passivated chips

Blocking voltage up to 1800 V

Low forward voltage drop

Leads suitable for PC board soldering

UL registered E72873

I_dAV

I_dAVM

T_K= 90°C, module

module

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

600

640

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

520

555

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1800

1720

A²s

Applications

●

Supplies for DC power equipment

Input rectifiers for PWM inverter

Battery DC power supplies

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1350

1295

A²s

●

Field supply for DC motors

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+130

°C

Advantages

●

Easy to mount with two screws

Space and weight savings

Improved temperature and power

●

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

cycling

I_ISOL£ 1 mA

M_d

Mounting torque

(M5)

(10-32UNF)

2 - 2.5

18-22

lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Weight

typ.

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.3 mA

1.5

0.8

V_F

I_F= 80 A;

T_VJ= 25°C

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

7.5 mW

R_thJH

per diode, 120° rect.

per module, 120° rect.

1.42 K/W

0.24 K/W

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

12.7 mm

9.4 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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