Datasheet > VUO50-12NO3

VUO50-12NO3

更新时间： 2024-11-04 21:54:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		三相整流桥
页数	文件大小	规格书
2页	77K
描述
Three Phase Rectifier Bridge

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VUO50-12NO3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	R-XUFM-D5	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.29	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.9 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-D5
最大非重复峰值正向电流：	415 A	元件数量：	6
相数：	3	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	75 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VUO50-12NO3 数据手册

VUO 50

I_dAV= 58 A

V_RRM= 800-1800 V

Three Phase

Rectifier Bridge

–

V_RSM

V_RRM

Type

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

VUO 50-08NO3

VUO 50-12NO3

VUO 50-14NO3

VUO 50-16NO3

VUO 50-18NO3*

* delivery time on request

Symbol Test Conditions

Maximum Ratings

Features

①

Package with DCB ceramicbase plate

Isolation voltage 3600 V~

Planar passivated chips

Blocking voltage up to 1800 V

Low forward voltage drop

¼" fast-on terminals

I_dAV

I_dAVM

①

T_C= 85°C, module

module

①

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

500

525

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

415

440

UL registered E 72873

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1250

1160

A²s

Applications

①

Supplies for DC power equipment

Input rectifiers for PWM inverter

Battery DC power supplies

Rectifier for DC motors field current

①

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

860

810

①

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+125

125

-40...+125

°C

Advantages

①

Easy to mount with two screws

Space and weight savings

Improved temperature and power

①

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

①

cycling

M_d

Mounting torque

(M5)

2-2.5

(10-32 UNF)

18-22 lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Weight

typ.

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.3

V_R= V_RRM

V_F

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

1.9

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

0.9

6.0

R_thJC

per diode, DC current

per module

per diode, DC current

per module

1.62

0.27

2.22

0.37

K/W

R_thJH

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

9.4

m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

① for resistive load at bridge output

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

Use output terminals in parallel

connection!

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与VUO50-12NO3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VUO50-14NO3	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO50-16NO3	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO50-18N03	LITTELFUSE	获取价格	Trigger Device,
VUO50-18NO3	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO52	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO52-08NO1	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO52-08NO1	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO52-12NO1	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO52-12NO1	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO52-14NO1	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge

与VUO50-12NO3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO50-12NO3

VUO50-12NO3 技术参数

VUO50-12NO3 数据手册

与VUO50-12NO3相关器件

与VUO50-12NO3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO50-12NO3

VUO50-12NO3 技术参数

VUO50-12NO3 数据手册

与VUO50-12NO3相关器件

与VUO50-12NO3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？