Datasheet > VUO54-12NO7

VUO54-12NO7

更新时间： 2024-11-21 20:54:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
1页	161K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 54A, 1200V V(RRM), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VUO54-12NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-XUFM-P4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.78	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.46 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-P4	最大非重复峰值正向电流：	280 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	54 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VUO54-12NO7 数据手册

VBO 54

I_dAVM= 54 A

V_RRM= 800-1600 V

Single Phase

Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRM

Type

900

1300

1500

1700

800

1200

1400

1600

VUO 54-08NO7

VUO 54-12NO7

VUO 54-14NO7

VUO 54-16NO7

Symbol

Test Conditions

T_C= 100°C, module

Maximum Ratings

Features

I_dAV

I_FSM

①

• Package with DCB ceramic

base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• Leads suitable for PC board soldering

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

300

320

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

260

280

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

450

425

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

340

325

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

• Field supply for DC motors

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

M_d

Mounting torque (M4)

typ.

1.5 - 2

14 - 18 lb.in.

• Small and light weight

Weight

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.5 mA

1.46

0.8

V_F

I_F= 55 A;

T_VJ= 25°C

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

13 mW

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current

per module

1.1 K/W

0.28 K/W

1.6 K/W

0.4 K/W

R_thJH

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

11.2 mm

9.7 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 1

中文翻译

下载PDF

与VUO54-12NO7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VUO54-14NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 54A, 1400V V(RRM), Silicon,
VUO54-14NP7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 54A, 1400V V(RRM),
VUO54-16NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 54A, 1600V V(RRM), Silicon,
VUO55	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO55-12NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO55-14NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO55-16NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO55-18NO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO60	IXYS	获取价格	Theww Phase Rectifier Bridge
VUO60-08NO3	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 72A, 800V V(RRM), Silicon

与VUO54-12NO7相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO54-12NO7

VUO54-12NO7 技术参数

VUO54-12NO7 数据手册

与VUO54-12NO7相关器件

与VUO54-12NO7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO54-12NO7

VUO54-12NO7 技术参数

VUO54-12NO7 数据手册

与VUO54-12NO7相关器件

与VUO54-12NO7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？