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VUO60-08NO3

更新时间: 2024-09-16 20:55:11
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IXYS 局域网二极管
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1页 116K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 72A, 800V V(RRM), Silicon

VUO60-08NO3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PUFM-D7
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.9 V
JESD-30 代码:R-PUFM-D7最大非重复峰值正向电流:600 A
元件数量:6相数:3
端子数量:7最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:72 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V最大反向电流:300 µA
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

VUO60-08NO3 数据手册

  

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