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VTO39-12IO7

更新时间： 2024-11-05 20:06:31

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	195K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25.12A I(T)RMS, 16000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 6 Element,

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VTO39-12IO7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-P11	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	外壳连接：	ISOLATED
配置：	3 PHASE BRIDGE	最大直流栅极触发电流：	25 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	快速连接描述：	0
螺丝端子的描述：	0	最大维持电流：	50 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-P11	JESD-609代码：	e4
最大漏电流：	5 mA	通态非重复峰值电流：	200 A
元件数量：	6	端子数量：	11
最大通态电流：	16000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	25.12 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

VTO39-12IO7 数据手册

VTO 39

I_dAV= 39 A

V_RRM= 600-1200 V

Three Phase Rectifier Bridge

Priliminary data

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

700

900

1300

600

800

1200

VTO 39-06io7

VTO 39-08io7

VTO 39-12io7

Features

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

I_dAV

I_TAVM

①

T_C= 85°C, module

T_C= 85°C; (180° sine ; per thyristor)

• Package with DCB ceramic

base plate

I_TSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

200

210

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• Leads suitable for PC board soldering

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

180

190

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

200

150

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

160

150

A²s

V_R= 0

(di/dt)_cr

T_VJ= T_VJM

repetitive, I_T= 20 A

100

A/ms

• Field supply for DC motors

f =50 Hz, t_P=200 ms

V_D= 2/3 V_DRM

I_G= 0.15 A

Advantages

non repetitive, I_T= I_TAVM

V_DR= 2/3 V_DRM

500

A/ms

V/ms

di_G/dt = 0.15 A/ms

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

(dv/dt)_cr

T_VJ= T_VJM

;

R_GK= ¥; method 1 (linear voltage rise)

V_RGM

P_GM

• Small and light weight

T_VJ= T_VJM

I_T= I_TAVM

t_p= 30 ms

t_p= 300 ms

2.5

0.5

P_GAVM

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+125

125

-40...+125

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque (M4)

1.5 - 2

14 - 18 lb.in.

Weight

typ.

Data according to IEC 60747 refer to a single diode/thyristor unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

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VTO-4301-SMD	AGILENT	获取价格	Oscillator
VTO70	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VTO70-08IO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VTO70-08IO7C	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 70A, 800V V(RRM),
VTO70-12IO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VTO70-12IO7C	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 70A, 1200V V(RRM),
VTO70-14IO7	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VTO70-14IO7C	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 70A, 1400V V(RRM),

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