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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> VTO70-08IO7C
VTO70-08IO7C PDF预览

VTO70-08IO7C

更新时间： 2024-11-05 13:15:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极三相整流桥触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
Bridge Rectifier Diode, 70A, 800V V(RRM),

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VTO70-08IO7C 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.78配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大非重复峰值正向电流：600 A
元件数量：6最高工作温度：125 °C
最大输出电流：70 A最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Bridge Rectifier DiodesBase Number Matches：1

VTO70-08IO7C 数据手册

 浏览型号VTO70-08IO7C的Datasheet PDF文件第2页 
VVZ 70 VVZF 70  
VTO 70 VTOF 70  
Three Phase  
IdAV = 70 A  
Rectifier Bridge  
VRRM = 800-1600 V  
Preliminary data  
A
A
2
3
1
2
3
1
C
D
E
C
D
E
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
B
A
B
A
V
V
VVZ 70  
VVZF 70  
800  
1200  
1400  
1600  
800  
1200  
1400  
1600  
xxx 70-08io7  
xxx 70-12io7  
xxx 70-14io7  
xxx 70-16io7  
2
5
2
5
3
4
1
6
3
1
6
C
D
E
C
D
E
4
xxx = type  
B
B
VTO 70  
VTOF 70  
Features  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Package with copper base plate  
Isolation voltage 3000 V~  
Planar passivated chips  
Low forward voltage drop  
¼" fast-on power terminals  
IdAV  
IdAVM  
IFRMS, ITRMS  
¬
¬
TK = 85°C, module  
module  
per leg  
70  
70  
36  
A
A
A
IFSM, ITSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
550  
600  
A
A
Applications  
TVJ = TVJM  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
500  
550  
A
A
A2s  
A2s  
Supplies for DC power equipment  
Input rectifiers for PWM inverter  
Battery DC power supplies  
Field supply for DC motors  
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1520  
1520  
T
VJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1250  
1250  
A2s  
A2s  
F2  
Advantages  
VR = 0 V  
Easy to mount with two screws  
Space and weight savings  
Improved temperature and power  
cycling capability  
(di/dt)cr  
TVJ = 125°C  
repetitive, IT = 50 A  
150  
A/µs  
f = 50 Hz, tP = 200 µs  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.3 A,  
non repetitive, IT = 1/2 • IdAV  
500  
1000  
10  
A/µs  
V/µs  
V
Small and light weight  
diG/dt = 0.3 A/µs  
(dv/dt)cr  
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
VRGM  
PGM  
TVJ = TVJM  
IT = ITAVM  
tp = 30 µs  
tp = 500 µs  
tp = 10 ms  
≤
≤
≤
10  
5
1
W
W
W
W
PGAVM  
0.5  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
125  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
IISOL ≤ 1 mA  
Md  
Mounting torque  
(M5)  
(10-32 UNF)  
5 ± 15 %  
44 ± 15 %  
50  
Nm  
lb.in.  
g
Weight  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode/thyristor unless otherwise stated  
¬ for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and  
dimensions.  
© 1999 IXYS All rights reserved  
F2 - 51  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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